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LPDDR6：性能、功耗與安全的平衡之道
低功耗DRAM(LPDRAM)技術(shù)的發(fā)展始終圍繞一個(gè)核心命題展開：在不斷提升性能的同時(shí)，盡可能降低功耗。而隨著人工智能(AI)應(yīng)用場(chǎng)景的不斷拓展，這一平衡正逐漸向“節(jié)能”一端傾...
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5V MCU 有什么新增功能？
那么，MSPM0H321x 系列?5V MCU?有什么新功能？
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正芯科技有限公司2025年國慶放假通知
深圳市正芯科技有限公司2025年國慶放假通知
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RX6102 雙節(jié)鋰電池同步升壓充電管理芯片
RX6102 5V USB 輸入，最大 2A 充電電流，雙節(jié)鋰電池同步升壓充電管理芯片
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臺(tái)積電擬對(duì)高端芯片工藝價(jià)格調(diào)漲5%-10%
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電正計(jì)劃在 2026 年對(duì)旗下高端芯片制造工藝實(shí)施價(jià)格上調(diào)，以此應(yīng)對(duì)美國關(guān)稅、匯率波動(dòng)及供應(yīng)鏈成本上升帶來的壓力。
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為什么電路板GND與外殼GND之間接一個(gè)電阻一個(gè)電容？
外殼是金屬的，中間是一個(gè)螺絲孔，也就是跟大地連接起來了。這里通過一個(gè)1M的電阻跟一個(gè)1nF的電容并聯(lián)，跟電路板的地連接在一起，這樣有什么好處呢？
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單芯片功耗2200W，帶寬32TB/s：HBM如何撐起萬億參數(shù)AI時(shí)代？
在人工智能(AI)與數(shù)據(jù)中心需求的驅(qū)動(dòng)下，高帶寬內(nèi)存(HBM)被譽(yù)為AI時(shí)代的“新石油”，也正掀起下一代“存儲(chǔ)革命”。
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RX6103 三節(jié)鋰電池同步升壓充電管理芯片
RX6103 5V USB 輸入，最大1.6A 充電電流，三節(jié)鋰電池同步升壓充電管理芯片
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RX5090 5V USB 輸入，最大1.6A 充電電流，雙節(jié)鋰電池異步升壓充電管理芯片
RX5090 5V USB 輸入，最大1.6A 充電電流，雙節(jié)鋰電池異步升壓充電管理芯片
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正芯科技有限公司2025年五一放假通知
深圳正芯科技有限公司2025年五一放假通知
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正芯科技2025年清明節(jié)放假通知
正芯科技2025年清明節(jié)放假通知
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升壓控制驅(qū)動(dòng)芯片-RX5207
異步電流模式（CC 模式）DC_DC 升壓控制驅(qū)動(dòng)芯片
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RX18D8 N-Ch 40V Fast Switching MOSFET
RX18D8 N-Ch 40V Fast Switching MOSFET RX18D8 Description
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詳解三極管的工作原理（圖文+案例，讓你明明白白）
今天給大家講一下三極管。
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DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器輸入電容器中的電流
所有降壓轉(zhuǎn)換器都需要輸入電容。實(shí)際上，在理想情況下，如果電源具有零輸出阻抗和無限電流容量，并且軌道具有零電阻或電感，則不需要輸入電容。但由于這種情況的可能性微乎...
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如何防護(hù)電子設(shè)計(jì)抵御EMI/RFI干擾
電磁干擾（EMI）和射頻干擾（RFI）是指可能影響產(chǎn)品性能和可靠性的電磁噪聲。RFI作為EMI的一個(gè)子集，特指來自電源線或通信線等的輻射。
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什么是共模干擾與差模干擾及如何抑制干擾？
什么是共模干擾與差模干擾及如何抑制干擾？
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2024是AI MCU元年？
人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）技術(shù)曾經(jīng)是大型數(shù)據(jù)中心和強(qiáng)大GPU的代名詞，而正致力于實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)邊緣推進(jìn)，并立足于微控制器（MCU）等資源構(gòu)成的組件中。2024年近年來，越來...
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升壓轉(zhuǎn)換器的輸出范圍該如何增加？
這是一個(gè)來自現(xiàn)實(shí)生活中的問題：我們?nèi)绾翁岣呱龎恨D(zhuǎn)換器的輸出電壓？如果你可以無限地使用合適的IC，那你還算幸運(yùn)，但如果沒有呢？或者，你可能因?yàn)槟呈乱恍┨厥庖蠖荒?..
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